IMBG65R010M2HXTMA1
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 158A（Tc） 535W（Tc） PG-TO263-7-12
物料参数
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 158A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 15V，20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9.1 毫欧 @ 92.1A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.6V @ 18.7mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 112 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值）: | +23V，-7V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4001 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 535W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级: | - |
| 资质: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO263-7-12 |
| 封装/外壳: | TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA |